TSMC afslørede på det nordamerikanske teknologisymposium i 2025, at virksomheden forventes at begynde masseproduktion på N2 (2nm niveau) chips i andet halvår af dette år, hvilket er dens første produktionsteknologi, der er afhængig af Ring Gate (GAA) nanosheettransistorer.
Denne nye knude understøtter adskillige produkter, der lanceres næste år, herunder AMDs næste generations EPYC "Venedig" CPU til datacentre, samt forskellige klientorienterede processorer, såsom Apples 2025-chips til smartphones, tablets og PCS.Takket være GAAFET (omgivende gate -transistor) og forbedret effekt, vil den nye 2nm -knude opnå betydelige effektbesparelser, mens den forbedrer ydeevne og transistortæthed.Derudover forventes de efterfølgende processteknologier A16 og N2P også at blive sat i produktion næste år.
N2 er TSMCs nye processteknologi, der vil opnå den såkaldte "Full Node Improvement".Sammenlignet med N3E vil det forbedre ydelsen med 10%til 15%, reducere strømforbruget med 25%til 30%og øge transistortætheden med 15%.TSMC oplyste, at transistorens ydelse af N2 er tæt på målet med et gennemsnitligt udbytte på over 90% for det 256 MB SRAM-modul, hvilket indikerer, at processen har nået et modent niveau, da N2 gradvist er masseproduceret.
N2 vil være TSMCs første knude til at anvende GAA -nanosheettransistorer.På grund af porten omkring kanalen 360 grader (kanalformen på N2 er flere vandrette nanosark) forventes denne teknologi at forbedre ydelsen og reducere lækage.Denne struktur kan maksimere den elektrostatiske kontrol af kanalen og derved minimere transistorstørrelse uden at påvirke ydeevnen eller strømforbruget, hvilket i sidste ende opnår højere transistortæthed.
TSMCs N2-fremstillingsproces forventes at komme ind i masseproduktion i andet halvår af dette år og vil støtte adskillige produkter, der blev lanceret næste år, herunder AMDs næste generation af EPYC "Venice" CPU for datacentre og forskellige klientorienterede processorer, såsom Apples 2025 SOC for smartphones, tablets og personlige computere.
