For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased > NSB13211DW6T1G
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
4762139NSB13211DW6T1G-billede.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    NSB13211DW6T1G
  • Producent / Mærke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    NSB13211DW6T1G.pdf
  • ECAD -model
  • Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max)
    50V
  • Vce Mætning (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor Type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Leverandør Device Package
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serie
    -
  • Modstand - Emitterbase (R2)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • Modstand - Base (R1)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • Strøm - Max
    230mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Pakke / tilfælde
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvens - Overgang
    -
  • Detaljeret beskrivelse
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
  • Nuværende - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Nuværende - Samler (Ic) (Max)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025-01-26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025-01-13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024-12-31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024-12-23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024-12-12

Microchip annoncerer 500 afskedigelser med omstrukturerings...

2024-12-04

Quanta: AI -efterspørgsel er fortsat stærk, med en stabil...

2024-12-03

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024-12-02

Samsung reducerer markant brug af fotoresist i 3D NAND -pro...

2024-12-02

Vishay vil investere 51 millioner pund i den erhvervede NWF...

2024-11-29

Trumps toldtrussel, NVIDIA, Intel -leverandører revurderer...

2024-11-28

Intel modtager $ 7,86 milliarder i subsidier i henhold til ...

2024-11-27
Forsendelse
Betaling
Følgende er "NSB13211DW6T1G" -relaterede produkter.
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

Beskrivelse: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

producenter: Hamlin / Littelfuse
På lager
RFQ
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

Beskrivelse: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

Beskrivelse: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
NSB13ANT3G

NSB13ANT3G

Beskrivelse: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

Beskrivelse: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osNyhederWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.