For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Integrerede kredsløb (ICS) > Hukommelse > AS4C16M32MD1-5BIN
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
1215506AS4C16M32MD1-5BIN-billede.Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BIN

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
160+
$4.095
320+
$4.079
640+
$3.825
1120+
$3.662
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    AS4C16M32MD1-5BIN
  • Producent / Mærke
    Alliance Memory, Inc.
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    AS4C16M32MD1-5BIN.pdf
  • ECAD -model
  • Skriv cyklus Tid - Ord, Side
    15ns
  • Spænding - Supply
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Teknologi
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Leverandør Device Package
    90-FBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Emballage
    Tray
  • Pakke / tilfælde
    90-VFBGA
  • Andre navne
    1450-1121
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Hukommelsestype
    Volatile
  • Hukommelsesstørrelse
    512Mb (16M x 32)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Hukommelsesformat
    DRAM
  • Fabrikantens standard ledetid
    8 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detaljeret beskrivelse
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Urfrekvens
    200MHz
  • Adgangstid
    5ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025-01-13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024-12-31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024-12-23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024-12-12

Microchip annoncerer 500 afskedigelser med omstrukturerings...

2024-12-04

Quanta: AI -efterspørgsel er fortsat stærk, med en stabil...

2024-12-03

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024-12-02

Samsung reducerer markant brug af fotoresist i 3D NAND -pro...

2024-12-02

Vishay vil investere 51 millioner pund i den erhvervede NWF...

2024-11-29

Trumps toldtrussel, NVIDIA, Intel -leverandører revurderer...

2024-11-28

Intel modtager $ 7,86 milliarder i subsidier i henhold til ...

2024-11-27

AMD lancerer opførelsen af ​​den anden fase af Bangalore...

2024-11-26
Forsendelse
Betaling
Følgende er "AS4C16M32MD1-5BIN" -relaterede produkter.
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Beskrivelse: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Beskrivelse: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osNyhederWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.