For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Integrerede kredsløb (ICS) > Hukommelse > AS4C1M16S-6TIN
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
4176076AS4C1M16S-6TIN-billede.Alliance Memory, Inc.

AS4C1M16S-6TIN

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
1+
$2.13
10+
$1.942
25+
$1.89
50+
$1.88
117+
$1.681
351+
$1.676
585+
$1.651
1053+
$1.58
5031+
$1.471
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    AS4C1M16S-6TIN
  • Producent / Mærke
    Alliance Memory, Inc.
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    AS4C1M16S-6TIN.pdf
  • ECAD -model
  • Skriv cyklus Tid - Ord, Side
    2ns
  • Spænding - Supply
    3 V ~ 3.6 V
  • Teknologi
    SDRAM
  • Leverandør Device Package
    50-TSOP II
  • Serie
    -
  • Emballage
    Tray
  • Pakke / tilfælde
    50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andre navne
    1450-1270
    AS4C1M16S-6TIN-ND
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Hukommelsestype
    Volatile
  • Hukommelsesstørrelse
    16Mb (1M x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Hukommelsesformat
    DRAM
  • Fabrikantens standard ledetid
    8 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detaljeret beskrivelse
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 50-TSOP II
  • Urfrekvens
    166MHz
  • Adgangstid
    5.4ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025-01-26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025-01-13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024-12-31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024-12-23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024-12-12

Microchip annoncerer 500 afskedigelser med omstrukturerings...

2024-12-04

Quanta: AI -efterspørgsel er fortsat stærk, med en stabil...

2024-12-03

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024-12-02

Samsung reducerer markant brug af fotoresist i 3D NAND -pro...

2024-12-02

Vishay vil investere 51 millioner pund i den erhvervede NWF...

2024-11-29

Trumps toldtrussel, NVIDIA, Intel -leverandører revurderer...

2024-11-28

Intel modtager $ 7,86 milliarder i subsidier i henhold til ...

2024-11-27
Forsendelse
Betaling
Følgende er "AS4C1M16S-6TIN" -relaterede produkter.
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

Beskrivelse: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Beskrivelse: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Beskrivelse: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Beskrivelse: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Beskrivelse: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C256M16D3A-12BAN

AS4C256M16D3A-12BAN

Beskrivelse: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Beskrivelse: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C256M16D3-12BCNTR

AS4C256M16D3-12BCNTR

Beskrivelse: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Beskrivelse: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Beskrivelse: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

Beskrivelse: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
AS4C256M16D3-12BINTR

AS4C256M16D3-12BINTR

Beskrivelse: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

producenter: Alliance Memory, Inc.
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osNyhederWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.