For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > 1N5407G-T
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
23675651N5407G-T-billede.Diodes Incorporated

1N5407G-T

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
1+
$0.39
10+
$0.32
100+
$0.218
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    1N5407G-T
  • Producent / Mærke
    Diodes Incorporated
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Indeholder lead / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    1N5407G-T.pdf
  • Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis
    1.1V @ 3A
  • Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max)
    800V
  • Leverandør Device Package
    DO-201AD
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Reverse Recovery Time (trr)
    2µs
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Pakke / tilfælde
    DO-201AD, Axial
  • Andre navne
    1N5407GCT
    1N5407GCT-ND
    1N5407GDICT
  • Driftstemperatur - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Monteringstype
    Through Hole
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodetype
    Standard
  • Detaljeret beskrivelse
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Nuværende - Reverse Lækage @ Vr
    5µA @ 800V
  • Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Basenummer
    1N5407

Det rapporteres, at Kioxia modtager notering af godkendelse...

2024-11-21

Tower Semiconductors seneste siliciumoptiske platform er bl...

2024-11-20

Branchen kommer sig langsomt tilbage.Den epitaksiale levera...

2024-11-19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024-11-19

The core value and future development trend of passive comp...

2024-11-18

Leverandør: Et stort antal RTX 50 -serie GPU -komponenter ...

2024-11-18

Taiwan, China Semiconductors outputværdi vil vokse med 22&...

2024-11-17

Udvidelse af produktionen af ​​OLED -paneler, LG -display...

2024-11-15

Amazon øger bestræbelserne på at skabe tilpassede AI -ch...

2024-11-14

Pegatrons netto overskud var på $ 4,296 milliarder, et kva...

2024-11-13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024-11-13

Sydkorea planlægger at vedtage Chip Act for at imødegå T...

2024-11-13
Forsendelse
Betaling
Følgende er "1N5407G-T" -relaterede produkter.
1N5407-TP

1N5407-TP

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Micro Commercial Components (MCC)
På lager
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Micro Commercial Components (MCC)
På lager
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Comchip Technology
På lager
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
1N5407

1N5407

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Fairchild/ON Semiconductor
På lager
RFQ
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
1N5407G

1N5407G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: ON Semiconductor
På lager
RFQ
1N5407TA

1N5407TA

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
På lager
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
1N5408

1N5408

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.