For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > DMN1019USN-7
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
1698158DMN1019USN-7-billede.Diodes Incorporated

DMN1019USN-7

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
3000+
$0.139
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    DMN1019USN-7
  • Producent / Mærke
    Diodes Incorporated
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    DMN1019USN-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    SC-59
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
  • Power Dissipation (Max)
    680mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Pakke / tilfælde
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andre navne
    DMN1019USN-7DITR
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikantens standard ledetid
    32 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    2426pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50.6nC @ 8V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    1.2V, 2.5V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    12V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    9.3A (Ta)

Antropisk modtager yderligere 4 milliarder dollars invester...

2024-11-23

Semi: IC -salg stiger med 12% i 3. kvartal, vækst forv...

2024-11-22

Det rapporteres, at Kioxia modtager notering af godkendelse...

2024-11-21

Tower Semiconductors seneste siliciumoptiske platform er bl...

2024-11-20

Branchen kommer sig langsomt tilbage.Den epitaksiale levera...

2024-11-19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024-11-19

The core value and future development trend of passive comp...

2024-11-18

Leverandør: Et stort antal RTX 50 -serie GPU -komponenter ...

2024-11-18

Taiwan, China Semiconductors outputværdi vil vokse med 22&...

2024-11-17

Udvidelse af produktionen af ​​OLED -paneler, LG -display...

2024-11-15

Amazon øger bestræbelserne på at skabe tilpassede AI -ch...

2024-11-14

Pegatrons netto overskud var på $ 4,296 milliarder, et kva...

2024-11-13
Forsendelse
Betaling
Følgende er "DMN1019USN-7" -relaterede produkter.
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1004UFV-13

DMN1004UFV-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Beskrivelse: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7

Beskrivelse: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH30V SC-59

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 4.2A

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH30V SC-59

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.