For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > DMN10H120SFG-13
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
6320922DMN10H120SFG-13-billede.Diodes Incorporated

DMN10H120SFG-13

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
3000+
$0.298
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    DMN10H120SFG-13
  • Producent / Mærke
    Diodes Incorporated
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    DMN10H120SFG-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    1W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Pakke / tilfælde
    8-PowerVDFN
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikantens standard ledetid
    32 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    549pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.6nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    100V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 100V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    3.8A (Ta)

Antropisk modtager yderligere 4 milliarder dollars invester...

2024-11-23

Semi: IC -salg stiger med 12% i 3. kvartal, vækst forv...

2024-11-22

Det rapporteres, at Kioxia modtager notering af godkendelse...

2024-11-21

Tower Semiconductors seneste siliciumoptiske platform er bl...

2024-11-20

Branchen kommer sig langsomt tilbage.Den epitaksiale levera...

2024-11-19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024-11-19

The core value and future development trend of passive comp...

2024-11-18

Leverandør: Et stort antal RTX 50 -serie GPU -komponenter ...

2024-11-18

Taiwan, China Semiconductors outputværdi vil vokse med 22&...

2024-11-17

Udvidelse af produktionen af ​​OLED -paneler, LG -display...

2024-11-15

Amazon øger bestræbelserne på at skabe tilpassede AI -ch...

2024-11-14

Pegatrons netto overskud var på $ 4,296 milliarder, et kva...

2024-11-13
Forsendelse
Betaling
Følgende er "DMN10H120SFG-13" -relaterede produkter.
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V TSOT26

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Beskrivelse: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 4.2A

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.