For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays > EPC2107ENGRT
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
4991136EPC2107ENGRT-billede.EPC

EPC2107ENGRT

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    EPC2107ENGRT
  • Producent / Mærke
    EPC
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    EPC2107ENGRT.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • Leverandør Device Package
    9-BGA (1.35x1.35)
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
  • Strøm - Max
    -
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Pakke / tilfælde
    9-VFBGA
  • Andre navne
    917-EPC2107ENGRDKR
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    16pF @ 50V, 7pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • FET Type
    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • FET-funktion
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    100V
  • Detaljeret beskrivelse
    Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    1.7A, 500mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025-01-13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024-12-31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024-12-23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024-12-12

Microchip annoncerer 500 afskedigelser med omstrukturerings...

2024-12-04

Quanta: AI -efterspørgsel er fortsat stærk, med en stabil...

2024-12-03

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024-12-02

Samsung reducerer markant brug af fotoresist i 3D NAND -pro...

2024-12-02

Vishay vil investere 51 millioner pund i den erhvervede NWF...

2024-11-29

Trumps toldtrussel, NVIDIA, Intel -leverandører revurderer...

2024-11-28

Intel modtager $ 7,86 milliarder i subsidier i henhold til ...

2024-11-27

AMD lancerer opførelsen af ​​den anden fase af Bangalore...

2024-11-26
Forsendelse
Betaling
Følgende er "EPC2107ENGRT" -relaterede produkter.
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Beskrivelse: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2110

EPC2110

Beskrivelse: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Beskrivelse: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Beskrivelse: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2107

EPC2107

Beskrivelse: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Beskrivelse: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2104

EPC2104

Beskrivelse: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2108

EPC2108

Beskrivelse: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Beskrivelse: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2202

EPC2202

Beskrivelse: GANFET N-CH 80V 18A DIE

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Beskrivelse: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Beskrivelse: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Beskrivelse: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Beskrivelse: 200 V GAN IC FET DRIVER

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2105

EPC2105

Beskrivelse: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2106

EPC2106

Beskrivelse: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Beskrivelse: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Beskrivelse: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2111

EPC2111

Beskrivelse: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

producenter: EPC
På lager
RFQ
EPC2203

EPC2203

Beskrivelse: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

producenter: EPC
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.