For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > SI4168DY-T1-GE3
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
3093671

SI4168DY-T1-GE3

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
2500+
$0.547
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    SI4168DY-T1-GE3
  • Producent / Mærke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    SI4168DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Pakke / tilfælde
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andre navne
    SI4168DY-T1-GE3-ND
    SI4168DY-T1-GE3TR
    SI4168DYT1GE3
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    1720pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    30V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 30V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025-01-26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025-01-13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024-12-31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024-12-23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024-12-12

Microchip annoncerer 500 afskedigelser med omstrukturerings...

2024-12-04

Quanta: AI -efterspørgsel er fortsat stærk, med en stabil...

2024-12-03

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024-12-02

Samsung reducerer markant brug af fotoresist i 3D NAND -pro...

2024-12-02

Vishay vil investere 51 millioner pund i den erhvervede NWF...

2024-11-29

Trumps toldtrussel, NVIDIA, Intel -leverandører revurderer...

2024-11-28

Intel modtager $ 7,86 milliarder i subsidier i henhold til ...

2024-11-27
Forsendelse
Betaling
Følgende er "SI4168DY-T1-GE3" -relaterede produkter.
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4136M-EVB

SI4136M-EVB

Beskrivelse: BOARD EVALUATION FOR SI4136

producenter: Energy Micro (Silicon Labs)
På lager
RFQ
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4158DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osNyhederWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.