For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > SI4894BDY-T1-GE3
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
2406861

SI4894BDY-T1-GE3

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
1+
$1.27
10+
$1.126
100+
$0.89
500+
$0.69
1000+
$0.545
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    SI4894BDY-T1-GE3
  • Producent / Mærke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    SI4894BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 12A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    1.4W (Ta)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Pakke / tilfælde
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andre navne
    SI4894BDY-T1-GE3CT
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikantens standard ledetid
    27 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    1580pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    30V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 30V 8.9A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    8.9A (Ta)

AMD lancerer opførelsen af ​​den anden fase af Bangalore...

2024-11-26

NVIDIA RTX 5090 grafikkort har et GPU -område på 744 mm ...

2024-11-25

Antropisk modtager yderligere 4 milliarder dollars invester...

2024-11-23

Semi: IC -salg stiger med 12% i 3. kvartal, vækst forv...

2024-11-22

Det rapporteres, at Kioxia modtager notering af godkendelse...

2024-11-21

Tower Semiconductors seneste siliciumoptiske platform er bl...

2024-11-20

Branchen kommer sig langsomt tilbage.Den epitaksiale levera...

2024-11-19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024-11-19

The core value and future development trend of passive comp...

2024-11-18

Leverandør: Et stort antal RTX 50 -serie GPU -komponenter ...

2024-11-18

Taiwan, China Semiconductors outputværdi vil vokse med 22&...

2024-11-17

Udvidelse af produktionen af ​​OLED -paneler, LG -display...

2024-11-15
Forsendelse
Betaling
Følgende er "SI4894BDY-T1-GE3" -relaterede produkter.
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.