For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > SI7102DN-T1-GE3
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
4517575SI7102DN-T1-GE3-billede.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7102DN-T1-GE3

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
3000+
$0.947
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    SI7102DN-T1-GE3
  • Producent / Mærke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    SI7102DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Power Dissipation (Max)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Pakke / tilfælde
    PowerPAK® 1212-8
  • Andre navne
    SI7102DN-T1-GE3TR
    SI7102DNT1GE3
  • Driftstemperatur
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    3720pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 8V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    12V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 12V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025-01-13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024-12-31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024-12-23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024-12-12

Microchip annoncerer 500 afskedigelser med omstrukturerings...

2024-12-04

Quanta: AI -efterspørgsel er fortsat stærk, med en stabil...

2024-12-03

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024-12-02

Samsung reducerer markant brug af fotoresist i 3D NAND -pro...

2024-12-02

Vishay vil investere 51 millioner pund i den erhvervede NWF...

2024-11-29

Trumps toldtrussel, NVIDIA, Intel -leverandører revurderer...

2024-11-28

Intel modtager $ 7,86 milliarder i subsidier i henhold til ...

2024-11-27

AMD lancerer opførelsen af ​​den anden fase af Bangalore...

2024-11-26
Forsendelse
Betaling
Følgende er "SI7102DN-T1-GE3" -relaterede produkter.
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Beskrivelse: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

producenter: Energy Micro (Silicon Labs)
På lager
RFQ
SI7060-EVB

SI7060-EVB

Beskrivelse: SI7060 EVALUATION BOARD

producenter: Energy Micro (Silicon Labs)
På lager
RFQ
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Beskrivelse: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

producenter: Energy Micro (Silicon Labs)
På lager
RFQ
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Beskrivelse: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

producenter: Energy Micro (Silicon Labs)
På lager
RFQ
SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

Beskrivelse: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

producenter: Energy Micro (Silicon Labs)
På lager
RFQ
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Beskrivelse: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

producenter: Energy Micro (Silicon Labs)
På lager
RFQ
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Beskrivelse: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.