For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Integrerede kredsløb (ICS) > Hukommelse > MT47H512M4THN-25E:M
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
2248778

MT47H512M4THN-25E:M

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
1518+
$23.25
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    MT47H512M4THN-25E:M
  • Producent / Mærke
    Micron Technology
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    MT47H512M4THN-25E:M.pdf
  • ECAD -model
  • Skriv cyklus Tid - Ord, Side
    15ns
  • Spænding - Supply
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Teknologi
    SDRAM - DDR2
  • Serie
    -
  • Driftstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Hukommelsestype
    Volatile
  • Hukommelsesstørrelse
    2Gb (512M x 4)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Hukommelsesformat
    DRAM
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detaljeret beskrivelse
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps
  • Urfrekvens
    400MHz
  • Adgangstid
    400ps

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025-01-26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025-01-13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024-12-31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024-12-23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024-12-12

Microchip annoncerer 500 afskedigelser med omstrukturerings...

2024-12-04

Quanta: AI -efterspørgsel er fortsat stærk, med en stabil...

2024-12-03

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024-12-02

Samsung reducerer markant brug af fotoresist i 3D NAND -pro...

2024-12-02

Vishay vil investere 51 millioner pund i den erhvervede NWF...

2024-11-29

Trumps toldtrussel, NVIDIA, Intel -leverandører revurderer...

2024-11-28

Intel modtager $ 7,86 milliarder i subsidier i henhold til ...

2024-11-27
Forsendelse
Betaling
Følgende er "MT47H512M4THN-25E:M" -relaterede produkter.
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Beskrivelse: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Beskrivelse: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

Beskrivelse: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Beskrivelse: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Beskrivelse: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Beskrivelse: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Beskrivelse: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Beskrivelse: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

Beskrivelse: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Beskrivelse: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

Beskrivelse: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H32M8BP-3:B TR

MT47H32M8BP-3:B TR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Beskrivelse: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Beskrivelse: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Beskrivelse: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Beskrivelse: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

producenter: Micron Technology
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osNyhederWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.