For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N5618
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
4320272

JAN1N5618

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
132+
$7.713
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    JAN1N5618
  • Producent / Mærke
    Microsemi
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Indeholder bly / RoHS ikke-kompatibel
  • Dataark
    JAN1N5618.pdf
  • Spænding - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis
    1A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • RoHS Status
    Bulk
  • Reverse Recovery Time (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Modstand @ Hvis, F
    -
  • Polarisering
    A, Axial
  • Andre navne
    1086-2108
    1086-2108-MIL
  • Driftstemperatur - Junction
    2µs
  • Monteringstype
    Through Hole
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikantens standard ledetid
    8 Weeks
  • Producentens varenummer
    JAN1N5618
  • Udvidet beskrivelse
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Diode Konfiguration
    500nA @ 600V
  • Beskrivelse
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Nuværende - Reverse Lækage @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) (pr. Diode)
    600V
  • Kapacitans @ Vr, F
    -65°C ~ 200°C

Det rapporteres, at Kioxia modtager notering af godkendelse...

2024-11-21

Tower Semiconductors seneste siliciumoptiske platform er bl...

2024-11-20

Branchen kommer sig langsomt tilbage.Den epitaksiale levera...

2024-11-19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024-11-19

The core value and future development trend of passive comp...

2024-11-18

Leverandør: Et stort antal RTX 50 -serie GPU -komponenter ...

2024-11-18

Taiwan, China Semiconductors outputværdi vil vokse med 22&...

2024-11-17

Udvidelse af produktionen af ​​OLED -paneler, LG -display...

2024-11-15

Amazon øger bestræbelserne på at skabe tilpassede AI -ch...

2024-11-14

Pegatrons netto overskud var på $ 4,296 milliarder, et kva...

2024-11-13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024-11-13

Sydkorea planlægger at vedtage Chip Act for at imødegå T...

2024-11-13
Forsendelse
Betaling
Følgende er "JAN1N5618" -relaterede produkter.
JAN1N5621

JAN1N5621

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

producenter: Microsemi Corporation
På lager
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

producenter: Microsemi Corporation
På lager
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Beskrivelse: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

producenter: Microsemi Corporation
På lager
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Beskrivelse: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.