For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N5807US
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
2070823

JAN1N5807US

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
100+
$10.528
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    JAN1N5807US
  • Producent / Mærke
    Microsemi
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Indeholder bly / RoHS ikke-kompatibel
  • Dataark
    JAN1N5807US.pdf
  • ECAD -model
  • Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis
    875mV @ 4A
  • Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max)
    50V
  • Leverandør Device Package
    B, SQ-MELF
  • Fart
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Reverse Recovery Time (trr)
    30ns
  • Emballage
    Bulk
  • Pakke / tilfælde
    SQ-MELF, B
  • Andre navne
    JAN1N5807US-MIL
  • Driftstemperatur - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikantens standard ledetid
    8 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodetype
    Standard
  • Detaljeret beskrivelse
    Diode Standard 50V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Nuværende - Reverse Lækage @ Vr
    5µA @ 50V
  • Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io)
    6A
  • Kapacitans @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025-01-26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025-01-13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024-12-31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024-12-23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024-12-12

Microchip annoncerer 500 afskedigelser med omstrukturerings...

2024-12-04

Quanta: AI -efterspørgsel er fortsat stærk, med en stabil...

2024-12-03

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024-12-02

Samsung reducerer markant brug af fotoresist i 3D NAND -pro...

2024-12-02

Vishay vil investere 51 millioner pund i den erhvervede NWF...

2024-11-29

Trumps toldtrussel, NVIDIA, Intel -leverandører revurderer...

2024-11-28

Intel modtager $ 7,86 milliarder i subsidier i henhold til ...

2024-11-27
Forsendelse
Betaling
Følgende er "JAN1N5807US" -relaterede produkter.
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Beskrivelse: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Beskrivelse: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

producenter: Microsemi Corporation
På lager
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

producenter: Microsemi
På lager
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

producenter: Microsemi Corporation
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osNyhederWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.