Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > STB11N52K3
Anmodning Citat
Dansk
2986349STB11N52K3-billede.STMicroelectronics

STB11N52K3

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    STB11N52K3
  • Producent / Mærke
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
  • ECAD -model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    D2PAK
  • Serie
    SuperMESH3™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    510 mOhm @ 5A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    125W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Pakke / tilfælde
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andre navne
    497-11839-2
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    10V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    525V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 525V 10A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)
CRA12E083220RJTR

CRA12E083220RJTR

Beskrivelse: RES ARRAY 4 RES 220 OHM 2012

producenter: Dale / Vishay
På lager

Review (1)

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte