Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > STL3N65M2
Anmodning Citat
Dansk
194813

STL3N65M2

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
1+
$1.406
10+
$1.371
30+
$1.348
100+
$1.324
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    STL3N65M2
  • Producent / Mærke
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
  • ECAD -model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    PowerFlat™ (3.3x3.3)
  • Serie
    MDmesh™ M2
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 Ohm @ 1A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    22W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Pakke / tilfælde
    8-PowerVDFN
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikantens standard ledetid
    42 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    155pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    10V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    650V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 650V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Tc)
UPC8112TB-E3-A

UPC8112TB-E3-A

Beskrivelse: IC MIXER 800MHZ-2GHZ DWN 6SMD

producenter: CEL (California Eastern Laboratories)
På lager
TMM-121-01-FM-S-RA-014

TMM-121-01-FM-S-RA-014

Beskrivelse: 2MM TERMINAL STRIP

producenter: Samtec, Inc.
På lager

Review (1)

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte