For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > 1N5401GHB0G
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
36082731N5401GHB0G-billede.TSC (Taiwan Semiconductor)

1N5401GHB0G

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
14000+
$0.078
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    1N5401GHB0G
  • Producent / Mærke
    Taiwan Semiconductor
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    1N5401GHB0G.pdf
  • Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis
    1.1V @ 3A
  • Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max)
    100V
  • Leverandør Device Package
    DO-201AD
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Emballage
    Bulk
  • Pakke / tilfælde
    DO-201AD, Axial
  • Driftstemperatur - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Monteringstype
    Through Hole
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikantens standard ledetid
    12 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodetype
    Standard
  • Detaljeret beskrivelse
    Diode Standard 100V 3A Through Hole DO-201AD
  • Nuværende - Reverse Lækage @ Vr
    5µA @ 100V
  • Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

Det rapporteres, at Kioxia modtager notering af godkendelse...

2024-11-21

Tower Semiconductors seneste siliciumoptiske platform er bl...

2024-11-20

Branchen kommer sig langsomt tilbage.Den epitaksiale levera...

2024-11-19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024-11-19

The core value and future development trend of passive comp...

2024-11-18

Leverandør: Et stort antal RTX 50 -serie GPU -komponenter ...

2024-11-18

Taiwan, China Semiconductors outputværdi vil vokse med 22&...

2024-11-17

Udvidelse af produktionen af ​​OLED -paneler, LG -display...

2024-11-15

Amazon øger bestræbelserne på at skabe tilpassede AI -ch...

2024-11-14

Pegatrons netto overskud var på $ 4,296 milliarder, et kva...

2024-11-13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024-11-13

Sydkorea planlægger at vedtage Chip Act for at imødegå T...

2024-11-13
Forsendelse
Betaling
Følgende er "1N5401GHB0G" -relaterede produkter.
1N5401GHA0G

1N5401GHA0G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
1N5401TA

1N5401TA

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
På lager
RFQ
1N5401GHR0G

1N5401GHR0G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
1N5401-TP

1N5401-TP

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: Micro Commercial Components (MCC)
På lager
RFQ
1N5401-G

1N5401-G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: Comchip Technology
På lager
RFQ
1N5401GP-TP

1N5401GP-TP

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: Micro Commercial Components (MCC)
På lager
RFQ
1N5401RL

1N5401RL

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
1N5401RLG

1N5401RLG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
1N5402

1N5402

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

producenter: ON Semiconductor
På lager
RFQ
1N5401/54

1N5401/54

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
1N5401-E3/54

1N5401-E3/54

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
1N5401G B0G

1N5401G B0G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
1N5402-B

1N5402-B

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
1N5401-T

1N5401-T

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
1N5402-E3/51

1N5402-E3/51

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
1N5402-E3/54

1N5402-E3/54

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
1N5402

1N5402

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

producenter: Fairchild/ON Semiconductor
På lager
RFQ
1N5401G-T

1N5401G-T

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
1N5401-E3/73

1N5401-E3/73

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RFQ
1N5401G

1N5401G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.