For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Integrerede kredsløb (ICS) > Hukommelse > W988D2FBJX6E
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
4258692W988D2FBJX6E-billede.Winbond Electronics Corporation

W988D2FBJX6E

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
240+
$3.219
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    W988D2FBJX6E
  • Producent / Mærke
    Winbond Electronics Corporation
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    W988D2FBJX6E.pdf
  • ECAD -model
  • Skriv cyklus Tid - Ord, Side
    15ns
  • Spænding - Supply
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Teknologi
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Leverandør Device Package
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Emballage
    Tray
  • Pakke / tilfælde
    90-TFBGA
  • Driftstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Hukommelsestype
    Volatile
  • Hukommelsesstørrelse
    256Mb (8M x 32)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Hukommelsesformat
    DRAM
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detaljeret beskrivelse
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Urfrekvens
    166MHz
  • Adgangstid
    5.4ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025-01-26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025-01-13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024-12-31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024-12-23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024-12-12

Microchip annoncerer 500 afskedigelser med omstrukturerings...

2024-12-04

Quanta: AI -efterspørgsel er fortsat stærk, med en stabil...

2024-12-03

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024-12-02

Samsung reducerer markant brug af fotoresist i 3D NAND -pro...

2024-12-02

Vishay vil investere 51 millioner pund i den erhvervede NWF...

2024-11-29

Trumps toldtrussel, NVIDIA, Intel -leverandører revurderer...

2024-11-28

Intel modtager $ 7,86 milliarder i subsidier i henhold til ...

2024-11-27
Forsendelse
Betaling
Følgende er "W988D2FBJX6E" -relaterede produkter.
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Beskrivelse: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Beskrivelse: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Beskrivelse: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

Beskrivelse: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Beskrivelse: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Beskrivelse: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Beskrivelse: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Beskrivelse: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Beskrivelse: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W988D6FBGX7E

W988D6FBGX7E

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

Beskrivelse: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Beskrivelse: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

producenter: Winbond Electronics Corporation
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osNyhederWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.