For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > DMT8012LFG-13
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
3436061DMT8012LFG-13-billede.Diodes Incorporated

DMT8012LFG-13

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
3000+
$0.467
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    DMT8012LFG-13
  • Producent / Mærke
    Diodes Incorporated
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    DMT8012LFG-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 12A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    2.2W (Ta), 30W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Pakke / tilfælde
    8-PowerWDFN
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikantens standard ledetid
    32 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    1949pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    80V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 80V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta), 35A (Tc)

Det rapporteres, at Kioxia modtager notering af godkendelse...

2024-11-21

Tower Semiconductors seneste siliciumoptiske platform er bl...

2024-11-20

Branchen kommer sig langsomt tilbage.Den epitaksiale levera...

2024-11-19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024-11-19

The core value and future development trend of passive comp...

2024-11-18

Leverandør: Et stort antal RTX 50 -serie GPU -komponenter ...

2024-11-18

Taiwan, China Semiconductors outputværdi vil vokse med 22&...

2024-11-17

Udvidelse af produktionen af ​​OLED -paneler, LG -display...

2024-11-15

Amazon øger bestræbelserne på at skabe tilpassede AI -ch...

2024-11-14

Pegatrons netto overskud var på $ 4,296 milliarder, et kva...

2024-11-13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024-11-13

Sydkorea planlægger at vedtage Chip Act for at imødegå T...

2024-11-13
Forsendelse
Betaling
Følgende er "DMT8012LFG-13" -relaterede produkter.
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

Beskrivelse: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Beskrivelse: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

producenter: Cornell Dubilier Electronics
På lager
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Beskrivelse: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

producenter: Cornell Dubilier Electronics
På lager
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Beskrivelse: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

producenter: Cornell Dubilier Electronics
På lager
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Beskrivelse: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

producenter: Cornell Dubilier Electronics
På lager
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Beskrivelse: MOSFET 100V 108A TO220AB

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Beskrivelse: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

producenter: Cornell Dubilier Electronics
På lager
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Beskrivelse: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Beskrivelse: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Beskrivelse: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Beskrivelse: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Beskrivelse: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.