For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > DMTH10H010LCTB-13
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
4359105

DMTH10H010LCTB-13

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
800+
$0.909
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    DMTH10H010LCTB-13
  • Producent / Mærke
    Diodes Incorporated
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    TO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 13A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    2.4W (Ta), 166W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Pakke / tilfælde
    TO-220-3
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Monteringstype
    Through Hole
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikantens standard ledetid
    16 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    2592pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    53.7nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    10V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    100V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 100V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    108A (Tc)

AMD lancerer opførelsen af ​​den anden fase af Bangalore...

2024-11-26

NVIDIA RTX 5090 grafikkort har et GPU -område på 744 mm ...

2024-11-25

Antropisk modtager yderligere 4 milliarder dollars invester...

2024-11-23

Semi: IC -salg stiger med 12% i 3. kvartal, vækst forv...

2024-11-22

Det rapporteres, at Kioxia modtager notering af godkendelse...

2024-11-21

Tower Semiconductors seneste siliciumoptiske platform er bl...

2024-11-20

Branchen kommer sig langsomt tilbage.Den epitaksiale levera...

2024-11-19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024-11-19

The core value and future development trend of passive comp...

2024-11-18

Leverandør: Et stort antal RTX 50 -serie GPU -komponenter ...

2024-11-18

Taiwan, China Semiconductors outputværdi vil vokse med 22&...

2024-11-17

Udvidelse af produktionen af ​​OLED -paneler, LG -display...

2024-11-15
Forsendelse
Betaling
Følgende er "DMTH10H010LCTB-13" -relaterede produkter.
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Beskrivelse: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Beskrivelse: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Beskrivelse: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

producenter: Cornell Dubilier Electronics
På lager
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Beskrivelse: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Beskrivelse: MOSFET NCH 100V 28A TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Beskrivelse: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Beskrivelse: MOSFET 100V 108A TO220AB

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Beskrivelse: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

producenter: Cornell Dubilier Electronics
På lager
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Beskrivelse: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Beskrivelse: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Beskrivelse: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Beskrivelse: MOSFET NCH 100V TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Beskrivelse: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

Beskrivelse: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Beskrivelse: MOSFET NCH 30V 21A TO252

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Beskrivelse: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.