For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

*firmanavn
*Navn
*Titel

*Email adresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktvindue
*Begivenhedsdato

*Besked

For besøgende på Electronica 2024

Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.

Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > RS1E130GNTB

RFQs/BESTILLING (0)

Dansk

Dansk

4699545

RS1E130GNTB-billede.

LAPIS Semiconductor

RS1E130GNTB

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager

1+

$0.67

10+

$0.564

100+

$0.423

500+

$0.31

1000+

$0.24

Forespørgsel Online

specifikationer

Varenummer

RS1E130GNTB
Producent / Mærke

LAPIS Technology
Lagermængde

På lager
Beskrivelse

MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
Blyfri Status / RoHS Status

Blyfri / RoHS-kompatibel
Dataark

1.RS1E130GNTB.pdf
2.RS1E130GNTB.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package

8-HSOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7 mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max)

3W (Ta), 22.2W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Pakke / tilfælde

8-PowerTDFN
Andre navne

RS1E130GNTBCT
Driftstemperatur

150°C (TJ)
Monteringstype

Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid

40 Weeks
Blyfri Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.9nC @ 10V
FET Type

N-Channel
FET-funktion

-
Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Afløb til Source Voltage (VDSS)

30V
Detaljeret beskrivelse

N-Channel 30V 13A (Ta) 3W (Ta), 22.2W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

Relaterede nyheder
Forsendelse
Betaling

AMD lancerer opførelsen af den anden fase af Bangalore...

NVIDIA RTX 5090 grafikkort har et GPU -område på 744 mm ...

Antropisk modtager yderligere 4 milliarder dollars invester...

Semi: IC -salg stiger med 12% i 3. kvartal, vækst forv...

Det rapporteres, at Kioxia modtager notering af godkendelse...

Tower Semiconductors seneste siliciumoptiske platform er bl...

Branchen kommer sig langsomt tilbage.Den epitaksiale levera...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Leverandør: Et stort antal RTX 50 -serie GPU -komponenter ...

Taiwan, China Semiconductors outputværdi vil vokse med 22&...

Udvidelse af produktionen af OLED -paneler, LG -display...

Forsendelse

Betaling

Følgende er "RS1E130GNTB" -relaterede produkter.

RS1E300GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor

På lager

RS1E150GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor

På lager

RS1E240BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor

På lager

RS1DTR

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

producenter: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

På lager

RS1DLHR3G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)

På lager

RS1E200GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor

På lager

RS1DLHRHG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)

På lager

RS1DLHRFG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)

På lager

RS1DLHRQG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)

På lager

RS1E280GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor

På lager

RS1E200BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor

På lager

RS1DLW RVG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)

På lager

RS1DLHRVG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)

På lager

RS1DLHRTG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)

På lager

RS1E180BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor

På lager

RS1E280BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor

På lager

RS1E240GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor

På lager

RS1DLWHRVG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)

På lager

RS1E170GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor

På lager

RS1DLHRUG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)

På lager

Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.

Følg os

Vilkår og Betingelser Overtrædelsespolitik Anmode om et tilbud Om os Kontakt os Webstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.