For besøgende på Electronica 2024

Book din tid nu!

Alt, hvad det kræver, er et par klik for at reservere din plads og få kabinet billet

Hall C5 Booth 220

Advance -registrering

For besøgende på Electronica 2024
Du tilmelder dig alle! Tak fordi du lavede en aftale!
Vi sender dig båsen billetter via e -mail, når vi har verificeret din reservation.
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > RS1E180BNTB
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
3928689RS1E180BNTB-billede.LAPIS Semiconductor

RS1E180BNTB

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
2500+
$0.225
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    RS1E180BNTB
  • Producent / Mærke
    LAPIS Technology
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
    1.RS1E180BNTB.pdf
    2.RS1E180BNTB.pdf
  • ECAD -model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.9 mOhm @ 18A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    3W (Ta), 25W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Pakke / tilfælde
    8-PowerTDFN
  • Andre navne
    RS1E180BNTBTR
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikantens standard ledetid
    40 Weeks
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    2400pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 4.5V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    30V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 30V 60A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025-01-26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025-01-13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024-12-31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024-12-23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024-12-12

Microchip annoncerer 500 afskedigelser med omstrukturerings...

2024-12-04

Quanta: AI -efterspørgsel er fortsat stærk, med en stabil...

2024-12-03

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024-12-02

Samsung reducerer markant brug af fotoresist i 3D NAND -pro...

2024-12-02

Vishay vil investere 51 millioner pund i den erhvervede NWF...

2024-11-29

Trumps toldtrussel, NVIDIA, Intel -leverandører revurderer...

2024-11-28

Intel modtager $ 7,86 milliarder i subsidier i henhold til ...

2024-11-27
Forsendelse
Betaling
Følgende er "RS1E180BNTB" -relaterede produkter.
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

producenter: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
På lager
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1G

RS1G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RFQ
Som den eneste offentlige åbne markedsdistributør har vi en unik kombination af global adgang, produktionsindustriekspertise og bevist kvalitet.Med dette kan vi oprette tilpassede, end-til-ende forsyningskæden løsninger til elektronikkomponenter sourcing og lagerstyring.
Følg os
Vilkår og BetingelserOvertrædelsespolitikAnmode om et tilbudOm osKontakt osNyhederWebstedskort

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte

Nuværende sprog

Vælg dit land eller din region.