Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > RS1E320GNTB
RFQs/BESTILLING (0)
Dansk
Dansk
2657480RS1E320GNTB-billede.LAPIS Semiconductor

RS1E320GNTB

Anmodning Citat

Udfyld venligst alle krævede felter med dine kontaktoplysninger. Klik "Send RFQ" Vi kontakter dig snart via e -mail.Eller e -mail os:info@ftcelectronics.com

Referencepris (i amerikanske dollars)

På lager
1+
$1.46
10+
$1.296
100+
$1.024
500+
$0.794
1000+
$0.627
Forespørgsel Online
specifikationer
  • Varenummer
    RS1E320GNTB
  • Producent / Mærke
  • Lagermængde
    På lager
  • Beskrivelse
    MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Blyfri / RoHS-kompatibel
  • Dataark
  • ECAD -model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverandør Device Package
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 mOhm @ 32A, 10V
  • Power Dissipation (Max)
    3W (Ta), 34.6W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Pakke / tilfælde
    8-PowerTDFN
  • Andre navne
    RS1E320GNTBCT
  • Driftstemperatur
    150°C (TJ)
  • Monteringstype
    Surface Mount
  • Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Blyfri Status / RoHS Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    2850pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42.8nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET-funktion
    -
  • Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Afløb til Source Voltage (VDSS)
    30V
  • Detaljeret beskrivelse
    N-Channel 30V 32A (Ta) 3W (Ta), 34.6W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
    32A (Ta)
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1G

RS1G

Beskrivelse:

producenter: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
På lager
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Beskrivelse:

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Beskrivelse:

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1G-13

RS1G-13

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

producenter: Diodes Incorporated
På lager
RS1G R3G

RS1G R3G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1G M2G

RS1G M2G

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

producenter: TSC (Taiwan Semiconductor)
På lager
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Beskrivelse: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

producenter: LAPIS Semiconductor
På lager
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Beskrivelse:

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Beskrivelse: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

producenter: Electro-Films (EFI) / Vishay
På lager

Vælg sprog

Klik på pladsen for at afslutte
Loading...